SIC器件参数测试仪

品牌: 华科智源
名称: SIC动态参数测试仪
型号: HUSTEC-3000
用途: SIC器件,MOS管, IGBT测试

  • 品牌: 华科智源
  • 名称: SIC动态参数测试仪
  • 型号: hustec-3000
  • 用途: 适用碳化硅二极管、IGBT模块\MOS管等器件的时间参数测试。

  • 产品参数
  • 品牌: 华科智源
  • 名称: SIC动态参数测试仪
  • 型号: hustec-3000
  • 用途: 适用碳化硅二极管、IGBT模块\MOS管等器件的时间参数测试。

品牌: 华科智源

 名称: SIC动态参数测试仪

 型号: HUSTEC-3000

 用途: SIC器件,MOS管, IGBT测试

产品详情

功能及主要参数:

  适用碳化硅二极管、IGBT模块\MOS管等器件的时间参数测试。

  主要技术参数:

  IGBT开关特性测试

  开关时间测试条件

  Ic:50A~1000A     Vce:200V~2000V

  Vgs:-10V~+20V  Rg:1R~100R可调(可选择4档及外接)

  负  载:感性负载阻性负载可切换

  电感范围:100uH,200uH,500uH,1000uH

  电阻范围:0.5R、1R、2R、4R

  IGBT开关特性测试参数

  开通延迟td(on): 20nS -10uS     

  上升时间tr:    20nS -10uS

  开通能量Eon:  0.1-1000mJ                

  关断延迟时间td(off):20 nS -10uS  

  下降时间 tf: 20nS -10uS                   

  关断能量Eoff:0.1-1000mJ

  二极管反向恢复特性测试

  FRD测试条件:正向电流IF:50A~1000A;反向电压 Vr:200V~2000V;-di/dt:100A/us~10000A/us ;负载:感性负载可选

  电感范围:100uH,200uH,500uH,1000uH

  FRD测试参数

  反向恢复时间trr:20nS -2uS

  反向恢复电荷Qc:10nC~10uC;

  反向恢复电流Irm:50A~1000A

  反向恢复损耗Erec:0.1mJ~1000mJ

产品优势

  国内唯一能对二极管、IGBT模块、MOS管等器件的时间参数实施测试的设备。


SIC器件参数测试仪
品牌: 华科智源
名称: SIC动态参数测试仪
型号: HUSTEC-3000
用途: SIC器件,MOS管, IGBT测试

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